半导体封装工艺流程可分为前道工艺和后道工艺两个主要阶段，具体流程如下：

一、前道工艺（晶圆加工阶段）

晶圆切割

将大尺寸硅晶圆切割成单个芯片（Die），采用划片机或激光切割技术，边缘需精细处理以减少微裂纹。

背面减薄

为满足芯片尺寸精度要求，对硅片背面多余基体材料进行磨削、研磨、化学抛光等工艺，使芯片厚度达到设计标准。

表面处理

清洗芯片表面并涂覆金属层（如铝/铜/金），为后续键合做准备。

二、后道工艺（封装与测试阶段）

贴片与键合

- 贴片：

使用自动化设备将芯片贴装到基板上，采用表面贴装技术（SMT）或倒装芯片技术。

- 键合：通过金属导线（如金线/铝线）或导电树脂将芯片引脚与基板引脚连接，形成电气通路。

塑封与封装

- 使用环氧树脂等塑料材料对芯片进行封装，保护内部结构并实现机械支撑。

- 常见封装形式包括引线框架封装和基板封装，后者需在键合后进行模塑成型。

后处理工序

- 去飞边：

切除封装后多余的塑料材料。

- 电镀与浸锡：对金属引脚进行电镀（如镀金）和浸锡处理，增强导电性。

- 切筋与成型：将封装体切割成独立单元，并弯曲引线以连接系统板。

成品测试

- 包括静电测试、温度测试、湿度测试等，确保芯片符合规格。

三、其他关键步骤

设备与工艺控制：

前道工艺对设备精度和洁净度要求极高，后道工艺则更注重工艺稳定性和批量处理效率。

封装材料：现代封装多采用高分子聚合物材料，通过转移成型、喷射成型等技术实现精确塑封。

以上流程需在高度洁净的环境中完成，且各环节需严格质量控制，以确保最终封装产品的性能与可靠性。