关于JBS系统图，综合搜索结果分析如下：

基本定义

JBS系统图通常指用于描述 结势垒肖特基二极管（Junction Barrier Controlled Schottky Diode）结构的图形表示。该结构通过调整半导体材料的掺杂工艺，优化了传统肖特基二极管的漏电流问题，具有结构简单、性能稳定的特点。

结构组成

JBS结构主要包括以下部分：

扩散区（D区）：

P型半导体区域，用于控制结界处的势垒高度；

漂移区（n区）：N型半导体区域，与扩散区形成P-N结；

掩模区（S区）：形成P型掩模，控制掺杂浓度和分布。

关键参数

势垒高度（h_j）：

通过调整掺杂浓度控制，直接影响二极管导通特性；

扩散长度（L_D）：通常为结深（x_j）的0.85倍，决定载流子扩散范围。

与传统MPS的对比

JBS与混合式PIN-肖特基二极管（MPS）的主要区别在于掺杂工艺：JBS通过扩散区控制势垒，而MPS采用PIN结结构。两者均用于提升肖特基二极管的性能，但结构形式不同。

应用场景

JBS因漏电流低、开关速度快，常用于高频电子器件、光电器件及新能源领域。

注意：

由于搜索结果中未提供具体结构示意图，建议参考半导体物理教材或专业文献（如《半导体物理与器件》）中的JBS结构图示，以获得更直观的理解。